鈍化產(chǎn)品CVD涂層特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)簡(jiǎn)述

鈍化技術(shù)是在材料表面涂覆CVD涂層來(lái)實(shí)現(xiàn)的，而CVD是一種通過(guò)化學(xué)氣相沉積應(yīng)用于材料表面技術(shù)的方法，它應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝，它大致包含三步：

（1）形成揮發(fā)性物質(zhì) ；

（2）把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ；

（3）在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ；

SilcoTek®公司CVD（化學(xué)氣相沉積）是一種將揮發(fā)性引發(fā)劑和功能單體氣（通常是在真空下）注入腔體內(nèi)的反應(yīng)過(guò)程，負(fù)壓進(jìn)行沉積，通常真空沉積膜層質(zhì)量好，腔室加熱到反應(yīng)溫度，使引發(fā)劑氣體發(fā)生反應(yīng)或分解生成所需的涂層，并與材料表面有機(jī)的結(jié)合。隨著時(shí)間推移，涂覆氣體逐漸形成在材料表面上，其在暴露部分的表面形成均勻的涂層。例如想把硅涂附著在材料表面，使用三氯硅烷(SiHCl₃) 引發(fā)劑，當(dāng)SiHCl₃在腔室加熱時(shí)，發(fā)生分解和產(chǎn)生的硅涂層在材質(zhì)表面上，反應(yīng)如下：
           SiHCl₃ → Si + Cl₂ + HCl
  硅將有機(jī)的結(jié)合到任何暴露的表面（內(nèi)部和外部），而氯氣和鹽酸氣體副產(chǎn)品將從腔室排放出來(lái)，其廢氣的處理根據(jù)當(dāng)?shù)氐姆ㄒ?guī)要求進(jìn)行清除、處理。

鈍化技術(shù)是以材料表面涂覆CVD涂層來(lái)實(shí)現(xiàn)的，CVD是一種通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法應(yīng)用于材料表面的技術(shù)。

SilcoTek®公司CVD涂層系統(tǒng)中使用的材料大致有從硅化合物到碳化合物、氟碳或有機(jī)氟，以及類似氮化鈦這樣的氮化物。一些材料如硅，可以通過(guò)摻雜不同氣，使表面（改變或添加額外的化學(xué)物質(zhì)）來(lái)進(jìn)一步增強(qiáng)涂層的功能，以達(dá)到特定的性能目的和指標(biāo)。

化學(xué)氣相沉積不同于物理氣相沉積（PVD）等其他常見的涂層應(yīng)用方法，這些與化學(xué)氣相沉積相比，大多數(shù)常見的涂層噴涂工藝會(huì)導(dǎo)致可近外盲區(qū)不均勻或沒(méi)有的涂覆產(chǎn)生，化學(xué)氣相沉積涂層可以使應(yīng)用于涂層的氣體能進(jìn)入的任何區(qū)域，如上圖形象看出兩種涂覆的區(qū)別了。

SilcoTek®公司CVD涂層工藝的特點(diǎn)：

▲在高溫下應(yīng)用可以促進(jìn)反應(yīng)；

▲涂裝前必須清除零件表面的污染物；

▲涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

▲可以通過(guò)各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

▲涂層氣體將覆蓋零件的所有區(qū)域，包括螺紋、盲孔、檢測(cè)器（PDHID）和內(nèi)部表面；

▲涂層在反應(yīng)過(guò)程中粘結(jié)到材料表面，與其他類型的PVD涂層相比，具有附著力、穩(wěn)定性。

SilcoTek®公司CVD涂層的優(yōu)勢(shì)：

  ▲可廣泛應(yīng)用于各種基材：金屬和金屬合金、陶瓷，玻璃等；

▲可噴涂精密和復(fù)雜材質(zhì)表面，包括密封區(qū)域和內(nèi)部表面；

▲能承受低溫、高溫溫度變化；

▲持久的涂層與基材結(jié)合，意味著涂層在高應(yīng)力環(huán)境中也保持結(jié)合，即使基材表面彎曲也能保持耐彎曲性能。通過(guò)各種技術(shù)對(duì)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行氣相擾動(dòng)，以改善其結(jié)構(gòu)。